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2026年9月16日—9月22日

功率半导体这一周最值得关注的变化，不是某一种材料突然“胜出”，而是材料、封装和系统设计的边界同时向前移动。安森美把硅晶圆本身变成封装基础，尝试在同一架构内连接硅、SiC与GaN；ROHM的SiC芯片进入宝马Neue Klasse第六代电驱平台，则让技术优势落到真实整车项目。

另一条主线来自AI基础设施。英飞凌推出面向高密度硅功率设计的双通道栅极驱动器，Tower Semiconductor与NewPhotonics开始高量出货集成InP激光器的800G至1.6T光引擎，ams OSRAM又把薄膜VCSEL推向高并行互连。算力系统正在同时拉动“送电”和“传数据”两套半导体链条。

八条消息看似分散，放到“技术发布—样品验证—整车采用—规模出货”的坐标上，产业位置就清楚了：有的刚从实验室走出来，有的已经坐进客户系统，有的开始按批交付。真正拉开差距的，正是中间那段不够热闹的路——联合设计、可靠性验证、良率爬坡和平台复用。研究课题、产业项目与资本投入，也需要沿着这条路寻找落点。

图1  本周四条产业脉络：先进封装、汽车SiC、AI电源与高速光互连。

八项进展覆盖材料、器件、封装与应用

同一张表里既有高量出货，也有样品、展示和平台发布。它们代表的商业确定性不同，不能简单按新闻热度排序。

安森美EPP把“封装”推到功率系统的中心

安森美9月16日发布Embedded Power Platform，核心做法是把硅晶圆本身作为封装基础，将FET、驱动器和控制器等多颗裸片嵌入同一晶圆级架构，再用重布线层替代引线键合。平台可组合硅、SiC和GaN，并从一开始共同优化电气、热和机械性能。

这条路线的吸引力在于，它不再把功率器件、驱动与散热依次拼接，而是把寄生参数、热路径和结构尺寸放在一套模型里解决。安森美称，EPP可根据应用实现3至5倍功率密度，并把开发周期缩短到最快约4个月；在早期固态断路器设计中，方案尺寸约缩小50%、温度降低20%；在牵引逆变器场景中，公司给出最高4倍功率密度和15%损耗下降的比较结果。

这些数字都属于公司针对特定早期设计或“与传统方案相比”的口径，尚不能直接外推到所有客户系统。更关键的阶段信息是：EPP预计2026年开始向汽车和AI领域的战略客户及生态伙伴送样，斯巴鲁属于首批评估伙伴。也就是说，平台已经从概念展示走向样品与联合评估，但距离大规模、跨客户量产仍有认证、良率、成本和供应链协同要完成。

EPP对产业链的影响可能比单一封装产品更大。若功率开关、驱动、控制和隔离被纳入共同平台，器件企业与封装企业的分工会重新划线，系统客户也可能更早介入定义。材料的竞争因此不只发生在导通电阻和击穿电压上，还要看哪一种器件能以更低寄生、更好散热和更短验证周期嵌入系统。

EPP改变的还有验证对象。过去，一颗功率器件可以围绕单项电参数完成筛选；异质集成之后，裸片厚度、重布线精度、界面应力、热膨胀差异和失效定位必须放在一起处理。一个局部缺陷，就可能拖累整套系统的成品率。量测、测试和仿真工具因此被推到更靠近量产的位置。产业项目若只补一条封装线，却缺少设计规则、可靠性数据库和客户联合验证平台，很容易形成“设备先到、产品迟迟不来”的落差。

国内配套机会也不只是一种封装外形。晶圆级互连、异质裸片测试、热机械仿真、车规可靠性和设计工具链，都会随着平台导入产生新需求。比“功率密度提高几倍”更值得追踪的，是送样数量、客户验证周期、封装良率，以及一套架构能否跨功率等级、跨应用复用。

图2  EPP从分立封装转向系统协同，当前仍处战略客户送样阶段。

ROHM进入宝马第六代电驱，SiC走到整车平台节点

ROHM 9月17日宣布，其SiC芯片已用于宝马Neue Klasse电动车平台的第六代电驱系统。公司披露的公开信息没有给出具体器件料号、供货金额、车型数量或单车价值量，却明确确认了材料已经进入整车平台，而非停留在实验室样品或单次演示。

整车平台采用的意义，在于SiC的价值开始由器件性能传导至电驱系统。更低的开关与导通损耗可以帮助逆变器改善效率，器件耐高温能力与封装散热共同决定模块功率密度，长期可靠性则决定供应商能否跨越车规认证。任何一环不足，都可能削弱材料优势在整车端的兑现。

这也改变了供应商的竞争单位。进入一代电驱平台，通常意味着器件、封装、控制、热管理和制造一致性已经经过多轮协同；如果同一平台能够覆盖多个车型，设计导入的生命周期价值会高于单次订单。但本周公告没有披露量产爬坡速度，因此不能把“平台采用”直接等同于未来数年的确定收入。

采购端还需要区分“指定器件”和“稳定供货”。前者确认技术与平台匹配，后者才会持续反映在晶圆开工、模块产出和现金流中。后续若能看到更多车型覆盖、供应周期、质量数据和追加订单，才可以判断这次采用究竟是单点突破，还是ROHM在汽车SiC中的长期份额提升。

这使SiC项目的评价重心从名义产能移向合格交付。衬底尺寸只是一项条件，外延缺陷、芯片良率、模块封装、系统验证和车型销量才共同决定最终需求。科研合作也不必停留在刷新峰值参数；失效机理、界面与封装可靠性、热循环和功率循环这些看似朴素、能够复现的问题，反而更容易进入车厂和Tier 1的验证流程。

图3  SiC价值从材料传导至整车平台；平台采用仍需车型爬坡转化为规模收入。

AI电源的竞争转向驱动、拓扑与散热组合

英飞凌9月17日推出EiceDRIVER 2EDL6014AC-G2D。这是一款120V结隔离、双通道浮动输出栅极驱动器，采用2.2毫米×2.2毫米WQFN-12封装，可用于双高边、双低边和半桥配置。公司将其面向开关电容和多电平拓扑，覆盖固态变压器、固态断路器、备用电源、中间总线转换和第二级直流转换模块，样品已经提供。

SiC与GaN抢走了不少聚光灯，AI机架里却没有因此失去硅器件的位置。电压等级、开关频率、成本、控制复杂度和散热条件，会把不同材料分配到不同环节。双通道驱动器的意义，正是让更多拓扑以更小面积和更灵活的桥臂配置落地，再与SiC、GaN器件一起组成完整电源链。

强茂在9月16日至18日的印度电子展上，则展示了另一种组合打法：U系列宽安全工作区MOSFET、第三代MOSFET、SiC MOSFET、电机控制IC，以及双面散热和可润湿侧翼封装。展会亮相不能等同于新增订单，但它清楚反映汽车和工业客户的采购逻辑——客户购买的不是孤立参数，而是器件、控制、封装可制造性和本地服务的组合。

同日行业媒体报道的60V双N沟道车规MOSFET也延续这一方向：双器件集成减少PCB面积和物料数量，可润湿侧翼便于自动光学检测，应用瞄准H桥、半桥、电机和执行器控制。功率半导体市场并未被一种材料统一，硅器件仍会在中低压、成本敏感和成熟可靠性场景长期存在。

于是，“做SiC”或“有GaN”都不足以解释一家公司的增长。收入取决于器件组合、客户认证、封装附加值和供货周期，资本开支又可能落在晶圆、封装或测试的不同环节。把电压区间、目标拓扑和客户阶段对齐，才看得出AI电源增长最终会落进谁的订单。

光互连把化合物半导体带入AI系统第二条主线

如果说功率器件解决“如何把电送到算力芯片”，光子器件解决的则是“如何把数据送进、送出并在集群内移动”。Tower Semiconductor与NewPhotonics 9月17日宣布，基于PH18DA硅光平台、异质集成InP器件的光引擎已进入高量出货，当前产品支持800G至1.6T，未来计划推进6.4T近封装光学方案。

这项进展的关键是把InP激光器、半导体光放大器、调制器和探测器放进统一光子集成电路。InP提供片上光源和放大能力，硅光平台提供制造与集成基础。与“发布一款概念器件”相比，高量出货意味着工艺、测试、封装和客户交付已经跨过更高门槛，后续要观察出货持续性、客户结构与向更高速率升级的良率。

ams OSRAM 9月21日发布的850纳米薄膜microVCSEL平台处于更早阶段。公司披露25微米间距可寻址阵列、硅通孔集成、32Gb/s无误码运行、约0.25pJ/bit能效，以及超过2000小时的可靠性验证，并与BizLink展示连接器化多芯光纤方案。这些结果强化了“宽而慢”的高并行互连路线，但目前仍是技术验证、生态合作和定向展示，不能与量产收入混写。

同日发布的LIGENTEC异质光子平台，将薄膜铌酸锂调制器和III-V探测器集成到低损耗氮化硅平台，公开指标包括超过100GHz电光带宽和低于2V驱动电压。它显示AI光互连的材料组合继续增加，也提醒产业界：单项带宽纪录只有与晶圆制造、耦合封装、测试成本和客户验证连接，才会形成可规模复制的平台。

图4  不同材料在汽车、AI电源、工业能源与光互连中的位置，以及本周四类可验证信号。

企业进展要按“已经发生”和“预期目标”拆开

表中“预期性能”保留企业披露的应用条件；样品、展示、平台采用和高量出货不属于同一商业阶段。

竞争格局快照不强填缺少口径的份额

不同机构对器件、模块、晶圆和系统的统计分母不同。本周没有取得口径一致、可直接横向比较的最新份额，因此不以旧数字填表。

热闹之后，四条线索决定新闻能否兑现

安森美EPP首先要回答“谁会真正采用”。战略客户送样只是起点，客户数量、设计定点、样品转量产时间和封装良率，会逐步揭开平台的商业成色。若同一架构能够跨材料、跨功率等级复用，价值才不止于一款新品。

ROHM已经坐进宝马第六代电驱平台，下一步是随车型爬坡持续出货。器件料号、供货区域、车型覆盖和后续平台延伸，比“进入供应链”五个字更能说明收入空间。

AI电源与光互连则要把漂亮的技术数字送进客户系统。栅极驱动看参考设计和批量采购，VCSEL看模块集成与客户导入，InP光引擎看高量出货能否延续，以及从1.6T走向6.4T时制造表现是否稳定。

最后一条线索贯穿整周：材料优势正在让位于系统兑现。硅、SiC、GaN和InP并非简单替代关系。把器件、封装、热管理、控制和客户验证连成一条可复制的链，技术领先才有机会沉淀为长期订单。