英和芯成RISC-V SOC总部项目签约

9月23日，英和芯成RISC-V SOC总部项目签约落地苏州高新区。苏州英和芯成科技有限公司总经理刘意平，联合创始人CTO谢青山；区党工委书记吴琦，区领导杨亮、沈琰出席活动。

      苏州英和芯成科技有限公司专注全国产自主可控RISC-V AI芯片设计开发，聚焦端侧AI算力解决方案赛道，开展软硬件一体化设计，为客户提供高性能芯片、配套算法库及完整开发工具链，产品应用于汽车电子、智能安防、智能制造、政务系统等核心领域。公司创始团队行业背景深厚，已获多家行业头部客户项目定点，产业化进程稳步推进。

此次签约，英和芯成将在高新区打造高性能RISC-V SOC总部基地，深度融入地方产业生态，依托高新区完善的光子及集成电路产业链，加速全国产RISC-V AI芯片的规模化商用与生态布局。

座谈中，吴琦说，当前，高新区正深入贯彻落实市党代会精神，持续深化产创融合，不断培育和发展新质生产力。高新区在RISC-V领域创新资源丰富，产业积淀深厚，为企业发展提供了独一无二的环境。希望英和芯成扎根高新区、深耕主赛道，加快推进芯片研发及量产落地，助力高新区光子及集成电路产业创新发展。高新区将全力做优企业服务，强化要素保障，厚植产业发展沃土，为企业发展壮大保驾护航。

刘意平表示，英和芯成高度看好苏州高新区的营商环境和集成电路产业发展前景，认可区域成熟的产创融合体系与科创配套能力。公司将持续深化与高新区的协同合作，加速核心芯片产品规模化商用，助力国产RISC-V芯片技术迭代与产业化落地。

一直以来，高新区坚定不移围绕“发展高科技、实现产业化”的初心使命，坚持产业立区、创新兴区、开放强区，着力引进优质资源项目，全力推动创新发展，加快建设更具竞争力的一流高科技园区。接下来，高新区将以全生命周期陪伴式服务支持科技企业成长，在开放创新协同中塑造发展新动能新优势，为苏州高质量发展贡献更大力量。

来源：苏州高新区发布

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